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   近日，成都高新區科技創新局公布了《成都高新區2023年第二批擬認定中試平臺名單》，經過層層篩選和審核，芯未半導體榮獲成都市高新區“高投芯未功率半導體中試平臺”認定。

高投芯未功率半導體中試平臺由成都高投芯未半導體有限公司建設運營。平臺項目占地30畝，總建筑面積2.8萬平方米，總投資10億元，建設分立器件背面加工生產線和功率模塊封裝測試線，為功率半導體設計公司和科研機構提供從器件制造到模塊封裝測試的一站式全生命周期的中試服務。

   高投芯未功率半導體中試平臺作為目前成都規模最大的功率半導體中試平臺，擁有研發經驗豐富的芯片技術研發團隊和工藝團隊100余人，研發團隊核心人員由清華大學、中國科學院、復旦大學的博士組成，深耕IGBT芯片技術、應用和產業化10年以上。芯片工藝團隊核心人員由全球知名制造企業資深專家構成，從業經歷均達10年以上，掌握分立器件背面核心制造技術和先進功率模塊高可靠封裝測試技術。平臺利用自身工藝研發水平和創新研發技術能力幫助中小企業解決研發難題，為其提供IGBT、第三代半導體器件等定制化精準加工制造、參數測試、可靠性分析等成果轉化方面的服務。

   平臺致力于以功率半導體中試技術研發為特色，對外開放科技成果轉化、人才培養、項目孵化、企業培育的新型技術研發與服務基地，形成“中試+科技成果轉化+產業科技人才培養+生態企業共享+企業培育孵化”的全鏈條產業生態布局。

   未來，高新發展將帶領芯未半導體進一步加大研發投入、強化研發隊伍、提升科技創新實力，努力將其打造為國內領先的功率半導體企業。同時，高新發展也將持續推動芯未半導體與高校、科研院所等合作，加速破解科技成果轉化難題，推動成都高新區建設成為具有全國影響力的中試首選地。